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2024年3月22日 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展. 中国，上海—2024年3月20日， 半导体 行业盛会 SEMICON China 2024启幕， 2023年2月1日 Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂. Feb 01, 2023. 将成为全球最大的200mm 半导体工厂，采用创新性制造工艺来生产 Wolfspeed 宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的 ...
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2024年3月23日 德国PVA TePla集团已在全球范围内销售SiC晶体生长系统，并与全球领先的主流碳化硅衬底材料供应商共同研发并为其提供长晶设备，其设备稳定性和产品质量 2024年3月28日 作为全球高端半导体设备制造商，来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会，并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。 专为 ...首款国产碳化硅生产设备， PVA TePla助力中国半导体发展 ...
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2024年3月29日 近日，在国际盛会SEMICON China 2024上，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团亮相，并向行业展示了其为中国市场定制化的碳化硅晶体生长设 2 天之前 德国罗伊特林根——碳化硅（SiC）半导体具有体积小、效率高、功率密度大的显著优势。 经过多年的研发，博世目前准备开始大规模量产由碳化硅这一创新材料制成的 提高标准行驶里程：博世开启碳化硅芯片大规模量产计划
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2023年2月3日 2月2日，美国半导体厂Wolfspeed正式宣布计划在德国萨尔州建造全球最大、最先进的碳化硅器件制造工厂。. 该工厂将成为全球最大的8英寸半导体工厂，采用创新 2023年2月3日 碳化硅技术与制造全球引领者 Wolfspeed, Inc. （美国纽约证券交易所上市代码：WOLF）宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的 200mm 晶 Wolfspeed宣布计划在德国建造全球最大、最先进的碳化硅 ...
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2023年4月26日 目前，意法半导体、丰田集团和 电装集团等已实现 HTCVD 规模化生产碳化硅晶体，国内江苏超芯星已 研制出 HTCVD 碳化硅单晶生长设备。 TSSG法有望成为制备大尺寸、高结晶质量且成本更低的衬底制 2023年9月14日 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市 碳化硅设备行业深度报告： S i C 东风已来，关注衬底与外延 ...
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2020年10月21日 以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1.碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生 2 天之前 到目前为止，气相法可以生产出高质量的碳化硅微粉，其组分易于控制，但成本高，产出率低，难以规模化生产。气相法主要包括激光诱导法、化学气相沉积法和等离子气相合成法。1) 激光诱导法：1900年左右，人们发现可以通过激光加热生产纳米碳化硅。碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
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2023年2月26日 国内碳化硅IDM 厂商三安光电，衬底厂商天岳先进、露笑科技、东尼 电子、北京天科，器件厂商士兰微、华润微电子、燕东微电子等加速扩产，而 设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。 碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商2023年11月12日 实际上，国内外碳化硅切磨抛环节技术路线差距并不大，主要还在设备的精度和稳定性上，这对衬底加工的效率和产品良率有关键影响，目前国内企业相比国外还有差距，因此碳化硅切磨抛装备仍以进口为主，导致国内厂商生产成本居高不下，碳化硅切磨抛设备的国产替代需求迫切，还需相关厂商 ...2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 - 知乎
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2024年3月22日 PVA TePla在晶体生长设备设计和制造领域积累了丰富的经验，未来将持续致力于加强本土化供应链建设。 中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。2022年4月24日 1995 年沈阳星光技术陶瓷有限公司从德国 FCT 公司引进技术和设备，在国内开始了重结晶碳化硅陶瓷材料的制造。 1996 年德国 FCT 公司又在唐山投资设厂成立唐山福赛特（FCT）技术陶瓷工业有限公司生产重结晶碳化硅产品 [27] 。国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
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中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点 ...2022年8月5日 1995年，潍坊华美从德国FCT公司引进先进技术与设备，成为了我国首家碳化硅制造 ... 新方微粉的碳化硅微粉生产技术从德国引进，产品控制标准采用欧洲FEPA 标准。新方微粉建有高标准实验室，从英国、美国和德国引进先进的马尔文激光粒度检测 ...碳化硅材料全产业链制造商——华美精陶更名为山东华美新 ...
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2023年5月13日 [3]产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”.集微网 [4]一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉.粉体网 （中国粉体网编辑整理/山川） 注：图片非商业用途，存在侵权告知删除 （来源：中国粉体网） 相关新闻： 1.2亿！年产2万吨！2024年2月6日，碳化硅 (SiC) 材料市场领导者 ESK-SIC 与专门从事技术陶瓷和半导体技术制造的全球科技公司京瓷 (Kyocera) 宣布，双方已建立战略合作伙伴关系，旨在开发创新解决方案，以实现碳化硅及相关最终产品的可持续生产。ESK-SIC与KYOCERA合作以实现碳化硅可持续生产 - 艾邦 ...
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2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工2023年2月26日 其技术力量雄厚，设备和工艺先进，生产 稳定。企业坐落于科技之城上海嘉定南翔高科技产业园区，公司依托于美国麻省理工学院纳米中心，德国海德堡大学，清华大学材料技术中心，吉林大学，中科院 关于超威-上海超威纳米科技有限公司
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中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点 ...中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点 ...德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展，打造首 ...
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2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型⸺UKING ERH ...2023年2月27日 在器件封装环节，由于纳米银烧结工艺具备可实现高温服役、高热导率、高导电率、高可靠性几大优势，契合三代半导体封装需求，纳米银烧结设备成为碳化硅封装固化工艺的最核心设备，截至2022年未实现国产化。机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速 ...
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中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。 该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点 ...2023年7月14日 在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）外延片，可制成微波射频器件，应用于5G通信等领域；在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层（SiC-on-SiC）制得碳化硅外延片，可制成功率器件，应用于电动汽车、新 ...碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_
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2024年3月27日 这一产品结合了半导体行业的生产特点，将德国的设计经验与中国本土化生产能力相结合，采用PVT法(物理气相传输工艺)生产碳化硅晶体。据悉，该款设备计划于2024年第二季度投入市场。 “SiCN”设备的设计充分考虑了工艺特性，旨在实现更低能耗和更 2020年3月16日 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)器件作为一种宽禁带半导 体器件，具有耐高压、高温，导通电阻低等优点。近20 年 来，SiC 器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点，该 文对近些年来不同SiC 器件的发展进行分类梳理，介绍二极碳化硅功率器件技术综述与展望 - CSEE
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2024年5月31日 对于碳化硅晶圆制造设备与硅基晶圆制造设备的区别，赵奇表示：“其实，两者90%的设备是一样的。由于碳化硅比较坚硬，所以在器件制造过程中，我们必须把它的温度加到比硅基更高。比如，在硅基器件制造过程里，通常来说最高温度是到1200度， 随着新能源汽车放量，大功率IGBT器件广泛应用于电机驱动、车载充电模块；以及新能源功率模块对工作温度和可靠性的 [] 更多议题征集中，演讲及赞助请联系张小姐： 13418617872 （同微信） 报名方式： 方式1：加微信 张小姐：13418617872 （同微信） 方 SiC封装银烧结设备供应商10强 - 艾邦半导体网
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设备名称 型号 用途 图片 1 电感耦合等离子体刻蚀系统 德国 SENTECH SI500 该系统可以对硅、氧化硅、氮化镓和氧化锌等材料进行微纳米刻蚀。主要用于刻蚀制备基于III-V族，II-VI族和硅锗及其氧化物和氮化物等的纳米器件。 2 等离子体增强化学气象沉积2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点，将德国的设计 ...德国PVA TePla集团展示"中国版“”碳化硅晶体生长设备“SiCN”
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2019年9月2日 二是碳化硅芯片主要的工艺设备基本上被国外公司所垄断，特别是高温离子注入设备、超高温退火设备和高质量氧化层生长设备等，国内大规模建立碳化硅工艺线所采用的关键设备基本需要进口。三是碳化硅器件高端检测设备被国外所垄断。 4. 碳化硅功率模块2024年3月18日 半导体设备的“核心力量”——碳化硅零部件 2024/03/18 点击 4529 次 中国粉体网讯 碳化硅（SiC）是一种性能优异的结构陶瓷材料。 碳化硅零部件，即以碳化硅及其复合材料为主要材料的设备零部件，其具备密度高、热传导率高、弯曲强度大、弹性模数大等特性，能够适应晶圆外延、刻蚀等制造环节的 ...半导体设备的“核心力量”——碳化硅零部件_中国纳米行业门户
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2 天之前 博世集团董事会成员Harald Kroeger：“博世希望成为全球领先的电动出行碳化硅（SiC）芯片生产供应商。” 碳化硅半导体能够显著提高电动汽车的行驶里程和充电速度。预计于2021年12月启动大规模量产。自2021年初起，博世便开始生产用于客户验证的碳化硅3 天之前 国内碳化硅微粉生产线和工艺技术， 自动化程度高，产品科技含量高。 公司建有质量检测中心， 配备了检测设备， 确保金蒙新材料产品引领市场。 金蒙公司年产碳化硅微粉 20000吨， 高品质耐火材料用碳化硅3500吨，碳化硅砂 5000吨， 金蒙新材料产品种类齐全，更能满足客户需求。绿碳化硅,绿碳化硅微粉,黑碳化硅粉,白刚玉微粉,氧化铝山东金 ...
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